為了判明Si含量對活性的影響，配制了不同含Si（wt.%）量的釬劑，發現在含SiO2為0.01%時即能觀察得到母材表面有液體金屬層析出。當SiO2含量超過3%，加熱氟鋁酸鉀鋁釬劑時有棕色沉淀析出，鋁釬劑混濁不再透明，熔點也相應上升。在作釬接接頭試驗時，發現含SiO2大于3%時針縫可以自釬而無需添加釬料。這種釬縫的形成系由析出Si與母材形成的Al-S共晶層在表面張力作用下吸入釬縫所致。其自釬的接頭如下圖所示。由圖可見，兩種針縫均呈亞共晶組織，顯然是析出的元素Si和母材相互作用而得，由圖（b）“T”形接頭更可明顯看出母材溶入針縫的情形。

  由上述實驗可以看出K2SiF6中加入AF3穩定性顯著提高。隨著氟化鋁含量的增加，K2SiF6的穩定性也隨之進一步提高。因此體系中很可能有穩定的mKF.nAlF3piF4型三元化合物生成，而Si顯然進入絡氟陰離子以氟硅鋁酸根的形式存在。實際上K2SiF在鋁釬劑中的含量只占1~3wt.%，所以它是完全穩定的。仿照上述實驗，用GeO2代替SiO2，發現氟鋁酸鉀鋁釬劑剛一熔化即在母材上析出明亮的液體金屬層，其活性亦甚高。顯然這是析出的金屬Ge與母材形成的共晶。